首款12層堆疊HBM3內(nèi)存發(fā)布,單條最高容量24GB|前沿資訊

2023-04-20 17:54:03來(lái)源:中關(guān)村在線  


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SK海力士20日宣布,全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。

據(jù)了解,SK海力士在此次此新產(chǎn)品采用了MR-MUF和TSV技術(shù)。SK海力士表示,通過(guò)MR-MUF技術(shù)加強(qiáng)了工藝效率和產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性,又利用TSV技術(shù)將12個(gè)比現(xiàn)有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊,實(shí)現(xiàn)了與16GB產(chǎn)品相同的高度。

TSV技術(shù)指的是硅通孔技術(shù),在DRAM芯片打上數(shù)千個(gè)細(xì)微的孔,并通過(guò)垂直貫通的電極連接上下芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)。采用該技術(shù)的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清(Full-HD)電影,最大速度可達(dá)819GB/s。

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