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三星量產(chǎn)12nm DDR5內(nèi)存：功耗驟降23％

2023-05-18 15:55:17來源：中關(guān)村在線  

三星電子正式宣布，采用12nm級工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)開啟了量產(chǎn)模式。這種新型內(nèi)存芯片單顆容量可以達到16Gb(2GB)，最高速度可達7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，這相當于每秒鐘可以處理兩個30GB超高清電影。與之前的產(chǎn)品相比，12nm DDR5的功耗降低了多達23％，同時晶圓生產(chǎn)率提高了20％，這將對服務器和數(shù)據(jù)中心的節(jié)能減排產(chǎn)生明顯的貢獻。


(資料圖)

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值得一提的是，12nm級工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片的開發(fā)基于一種新型高K材料，該材料可以提高電池電容并使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準確地區(qū)分。此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的成果。

另外，去年12月，三星完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平臺的兼容性評估，這為未來發(fā)布配備尖端內(nèi)存技術(shù)的設(shè)備奠定了堅實的基礎(chǔ)。這種新型內(nèi)存將會讓計算機運行速度更快、效率更高，為智能手機、筆記本電腦、平板電腦以及各種科技產(chǎn)品提供更加出色的性能。

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