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東京工業(yè)大學(xué)研發(fā)BBCube可堆疊內(nèi)存 比HBM2E快4倍

2023-07-07 21:05:46來源:中關(guān)村在線  


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東京工業(yè)大學(xué)的科研團隊近日研發(fā)出一種名為BBCube的可堆疊內(nèi)存,其傳輸速度是現(xiàn)有的HBM2E內(nèi)存的4倍,而功耗僅為其五分之一。這一新型內(nèi)存的最大特點在于,它摒棄了傳統(tǒng)內(nèi)存的逐層焊接晶體布局。 該團隊在2023年6月舉行的VLSI IEEE Symposium 2023大會上,不僅提出了這一新概念,還詳細描述了生產(chǎn)這種存儲器的技術(shù)流程。 高帶寬存儲器(HBM)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合,如圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等。然而,現(xiàn)有的HBM內(nèi)存生產(chǎn)方法限制了其功能,堆疊中的每一層(DRAM芯片)不能制造得比特定規(guī)格更薄,且層之間的球接觸數(shù)量不能增加超過特定值,否則存在機械損壞和短路的風(fēng)險。 為了解決這一問題,科研團隊提出在DRAM封裝過程中去除球接觸,這樣可以讓芯片變得更薄,降低每一層的機械應(yīng)力,縮短TSV的過孔線。 研究團隊負責(zé)人Takayuki Ohba教授表示:“BBCube 3D有潛力實現(xiàn)每秒1.6TB的吞吐量,比DDR5快30倍,比HBM2E快四倍?!睂τ谶@一新型內(nèi)存的詳細信息,感興趣的讀者可以查閱相關(guān)論文進行深入了解。

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